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南美洲2022世界杯预选赛赛程(www.9cx.net):三星宣布3nm晶片乐成流片,规模化量产时间相近

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外媒报导,三星宣布他们的3nm制程手艺已经正式流片。据先容,三星的3nm制程接纳的是GAA架构,性能优于台积电的3nm FinFET架构。



三星在3nm制程的流片进度是与新思科技(Synopsys)互助完成的,目的在于加速为GAA架构的生产流程提供高度优化的参考方式。由于三星的3nm制程接纳差异于台积电或英特尔接纳的FinFET的架构,而是接纳GAA的结构。因此,三星接纳了新思科技的Fusion Design Platform。

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在手艺性能上,GAA架构的晶体管能够提供比FinFET更好的静电特征,可知足某些栅极宽度的需求。而这主要显示在一致尺寸结构下,GAA的沟道控制能力得以强化,借此给予尺寸进一步微缩提供了可能性。





三星代工设计手艺团队副总裁 Sangyun Kim 示意,三星电子最新且先进的 3nm GAA 制程手艺,沾恩于与新思科技互助,Fusion Design Platform 加速准备,有用杀青 3nm制程手艺答应,证实要害同盟的主要性和优点。



此次流片是由Synopsys和三星代工厂互助完成的。先前,三星曾在2020年完成3nm的开发,但开发乐成并不意味着产物最终进入量产的时间可以确定。随同着此次乐成流片,三星3nm晶片大规模量产的时间点已经正式相近。



先进制程一直是台积电、三星以及英特尔主要的角力战场。随着三星3nm接纳GAA设计弯道超车,台积电则在3nm制程上仍连续接纳FinFET架构, 在已知的手艺基础上可以连续带给客户有成本竞争力、效能显示佳的产物 。



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